Programador/Lector manual de memorias UV-EPROM

5V

PROGRAMADOR/LECTOR MANUAL DE MEMORIAS UV-EPROM 27C128, 256 Y 512 5V

(SÓLO LAS LOCALIDADES 0 - 255)

Salida de datos

R3R4R5R6R7R8R9R10

R20

10k10k10k10k10k10k10k10k

3 5 7 9

12 14 16 18

10k

U2:B

Y3 Y2 Y1 Y0

Y3 Y2 Y1 Y0

Localidad de la memoria (8 bits)

5V

220R

220R

220R

220R

220R

220R

OE

A3 A2 A1 A0 8 6 4 2

1

19

17 15 13 11

220R

B115V

12 13 15 16 17 18 19

GND

U3:B

Y3 Y2 Y1 Y0

Y3 Y2 Y1 Y0

3 5 7 9

12 14 16 18

B+

U3:A R11 R12 R13 R14 R15 R16 R17 R18

A3 A2 A1 A0

10k10k10k10k10k10k10k10k

8 6 4 2

OE

74LS244

1

CE OE VPP

A3 A2 A1 A0

74LS244

27C256

SW-SPDT

BAT2

BAT1

12V

5V

SW-SPDT

B+

BOFF

Entrada de datos (Escritura)

9 10 11 12 13 14 15 16

Salida de datos (Lectura) SW2

5V

12V

Vpp

SW1

20 22 1

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

OE

GND

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14

19

8 7 6 5 4 3 2 1

ON

Bit más significativo (B+ ) Bit menos significativo (B- )

10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 27

17 15 13 11

OFF

B - U1

B+

12V

R21 R22 R23 R24 R25 R26 R27 R28 220R

B-

GND

B-

74LS244

DSW2 DIPSW_8

B+

A3 A2 A1 A0

OE

9 10 11 12 13 14 15 16

74LS244

B+ U2:A

R19

DSW3 DIPSW_8

ON

10k

GND

Ing. Genaro Alfredo Alcázar Marín

Entrada de datos

5V

8 7 6 5 4 3 2 1

GND

Instituto Tecnológico de Cuautla

V 1.3 GND

19/11/2014