Descripción: Se explica el funcionamiento de un transistor bipolar, asi como la demostracion practica del mismo.
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Descripción: Principio de operación del transistor bipolar Modos de operación del BJT Modelo de gran señal de ebers-moll del BJT Obtención de los parámetros del modelo básico. Mejoras del modelo básico. Mo...
Module 1 Power Semiconductor Devices Version 2 EE IIT, Kharagpur
Relatório sobre a Curva Característica do Transistor Bipolar de Junção.Descrição completa
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UNIVERISDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACION GANANCIAS OBJETIVO: estudiar en forma experimental el transistor bipolar (BJT), las diferentes polarizaciones, configuraciones y limitaciones. MATERIAL Y EQUIPO
Osciloscopio fuente DC Multimetro digital 01 miliamperímetro Placa de montaje “BOARD” Asimismo son necesarios un número indeterminado de unidades de componentes pasivos, R y C, de acuerdo a los valores obtenidos tras los cálculos teóricos realizados. 330K, 470 , 1k, 2K, 10K, 3.6K, 2.2K (1/2W O 1W). 1 BJT (2N3904 u BC548B u otro similar NPN ) 2 Fuentes de DC.
PROCEDIMIENTO 1.-Armar el circuito de la siguiente figura con los valores sugeridos para calcular la
ganancia de corriente, variando la fuente de 4V hasta 10V.
VCC 10V 7V 4V
VCE 7.16V 5.13V 3.06V
IB 28μA 28μA 19μA 19μA 11μA 11μA
V470 2.84V 1.84V 0.95V
1
IC 6mA 4mA 3mA
βDC βDC 214.29 210.53 272.73
VBB 0.69V 0.69V 0.67V
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2.-Armar el circuito de la siguiente figura con los valores sugeridos y determinar los valores de la siguiente tabla. Disminuya la tensión de alimentación de la base en el circuito y mida nuevamente los valores.
VCC 15V 10V 5V
VCT 5.38V 4.73V 3.10V
VET 4.34V 2.40V 0.86V
IC 5mA 3mA 1mA
VCE 1.05V 2.33V 2.23V
VB 5V 3V 1.5V
3.-Armar el circuito de la siguiente figura con los valores sugeridos y determinar los valores de la siguiente tabla. Varié la tensión de alimentación de la base en el circuito hasta 15V y mida nuevamente los valores.
VCC 10V 7V 5V
VCT 5.40V 4.46V 3.82V
VET 1.17V O.65V 0.32V
IC 1.20mA 0.80mA 0.35mA
2
VCE 4.22V 3.82V 3.51V
VB 1.81V 1.27V 0.91V
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5.-CUESTIONARIO
a) Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito dibujando en una hoja completa, con el diseño original.
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b) Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para poder hacer comparaciones, una por cada tabla.
c) Explique los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.
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d) Comprobar teóricamente la ganancia de la configuración del circuito 1 y explicar la ganancia experimental de la tabla 1.
e) Comprobar teóricamente y explicar la configuración del circuito 2, los valores esperados y las aplicaciones de ella.
f) Comprobar teóricamente y explicar la configuración del circuito 3, los valores esperados y las aplicaciones de ella.
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Si consideramos B=225 Tenemos En la Malla de base: Ib(Rbb)+0.7V+Ie.Re = Vbb Ib(2.2K)+0.7V+Ie(1000) = 2.7V Ib = (2.7V-0.7V)/(2.2K+1000(242+1)) Ib = 8.16uA Ic = Ib(242) Ic = (8.16uA)(225) Ic = 1.97mA En la malla de colector Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V Vce = 15V – (3.3K)(1.97mA)-(1000)(1.97mA) Vce = 6.5 V Ve = (1000)(1.97mA) Ve = 1.95V Vc = 6.5V + 1.97V Vc = 8.45V Vb = 0.7V + 1.95V
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Vb = 2.65 V
6.-OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho más pequeña, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razón de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por βCD o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la región activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturación y/o corte.
