Funcionamiento de un transistor IGBT

ANTONIO JAVIER GUERRERO ANGULO TRANSISTOR IGBT El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un semiconductor de características combinadas de los transistores MOSFET y los BJT esto es: tiene la capacidad de excitarse como un MOSFET a la par que tiene las propiedades de conducción de corriente de un BJT. Por ello son capaces de manejar altas tensiones de bloqueo, conducir intensidades bastante elevadas y ser controlado con facilidad mediante tensión.

FUNCIONAMIENTO En el estado de bloqueo la tensión VGS es nula. Al aplicar un voltaje VGS en la puerta el transistor IGBT comienza a conducir, la corriente ID es mayor cuanto mayor es la tensión aplicada a la puerta siempre y cuando el drenador esté polarizado positivamente frente al surtidor. Si esto no es así, estaremos en la región de VDS negativa y el transistor trabajará en la zona de corte. No conducirá ninguna corriente. Si la tensión de bloqueo VDS supera un cierto valor máximo tanto en el umbral de trabajo positivo como negativo, el dispositivo entrará en avalancha.

Figura 1. Curva de funcionamiento del IGBT

Figura 2. Representación simbólica del transistor IGBT. a) Como BJT

b) Como MOSFET