LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I FACULTAD DE INGENIERÍA CORPORACIÓN UNIVERSIDAD DE L A COSTA, COSTA, C.U.C.
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EL DIODO SEMICONDUCTOR Daniel Barros Gutiérrez
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Max Cañete Masson e-mail:
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Hernando Buitrao !omases e-mail:
"lexander #l$arez %a$arro e-mail:
$.$ OB%ETIVO ESPECÍFICOS
RESUMEN:
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&n la 'resente ex'eriencia se obser$aron los e(ectos )ue 'roduce 'roduce la 'olari 'olarizac zaci*n i*n directa directa e in$ers in$ersa a de un diodo diodo semico semicondu nducto ctorr con(i con(iura urado do en serie serie con una resistencia resistencia de 1+++ o,mios o,mios adems adems se determin* determin* la cur$a caracter/stica del diodo con los datos obtenidos en el labo labora rato tori rio0 o0 todo todo esto esto con con el (in (in de anal analiz izar ar com'robar su o'eraci*n eléctrica. PALABR LABRAS AS CLA CLAVE: 'olarizaci* ci*n 'olarizaci*n in$ersa0 semiconductor.
-
directa0
& BASE BASE TEÓRICA TEÓRICA 'DEBE 'DEBE LLEVA LLEVAR R EL TÍTULO DEL TEMA PRINCIPAL DE LA E(PERIENCIA)
1 INTRODUCCIÓN
&l t/tulo 'rinci'al debe ser conruente con el tema de la ex'eriencia a realizar. &n él se debe incluir toda la base te*rica consultada en los textos o art/culos de a'oo.
&l diod diodo o es cons consid ider erad ado o como como el ele element mento o semiconductor ms sencillo )ue existe en la electr*nica0 racias a ello se encuentra en la ran maor/a de los circuitos eléctricos electr*nicos. &n un 'rinci'io0 estos eran (abricados de Germanio0 'ero debido a su alta sensibilidad a la tem'eratura0 los cient/(icos de la é'oca decidieron decidieron (abricarlos (abricarlos de otro material material semiconduct semiconductor0 or0 este iba a ser el silicio0 )ue actualmente es el ms utilizado. &l diodo ideal ,ace las $eces de un 2s3itc,4 dentro de un circui circuito to electr electr*ni *nico0 co0 es decir decir )ue 'uede 'uede tanto tanto como como conducir corriente0 como e$itar su 'aso 'ara ello existen dos dos (orm (ormas as de 'ola 'olari riza zarl rlo0 o0 de mane manera ra direct de mane manera ra i!"er#. i!"er#. 5a 'olari 'olarizac zaci*n i*n direct directa a conduc conduce e la corriente corriente eléctrica0 mientras mientras )ue la 'olarizaci* 'olarizaci*n n in$ersa in$ersa e$ita la conducci*n 6corto circuito7.
* PROCEDIMIENTO 1.
&n 'rime 'rimera ra instan instancia cia00 se con(i con(iur ur* * en serie serie una una resist resistenc encia ia de carb*n carb*n de 1+++ 1+++ o,mios o,mios un diodo diodo semico semicondu nducto ctorr re(ere re(erenci ncia a 1%;++< 1%;++<.. =u ra(ico se ex'ondr a continuaci*n: I
&s necesario conocer el (uncionamiento real de un diodo semiconducto semiconductorr de silicio 'ara ello se debe 'olarizar 'olarizar de ambas (ormas res'ecto a los datos arro8ados durante la ex'eriencia0 com'ararlos con la teor/a re(erenciada en los libros. De esta manera se com'robar la maniobra eléc eléctr tric ica a e8er e8erci cida da en el menc mencio iona nado do com' com'on onen ente te electr*nico.
+e! >.
$ OB%ETIVOS
-
$.1 OB%ETIVO GENERAL -
denti(icar el ti'o de material con el )ue se encuen encuentra tra (abric (abricado ado el diodo diodo t/'ic t/'ico o utiliz utilizado ado 'ara la ex'eriencia. den denti ti(i (ica carr la 'ola 'olari riza zaci ci*n *n en la )ue )ue se encuentra sometido el diodo. bser$ar los e(ectos de la 'olarizaci*n directa e in$ersa de un diodo semiconductor. Determinar Determinar la cur$a caracter/stica caracter/stica de un diodo semiconductor t/'ica.
"nalizar com'robar la o'eraci*n eléctrica del diodo semiconductor t/'ico.
1
=e 'olariz* iz* de manera directa el diodo semiconductor la (uente de $olta8e se lle$* a los los $alo $alore ress re)u re)uer erid idos os 'ara 'ara real realiz izar ar una una ex'eriencia o'tima0 estos (ueron: +.+ 6$7 +.? 6$7 +.6$7 +.<6$7 1.+6$7 ?.+6$7
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I FACULTAD DE INGENIERÍA CORPORACIÓN UNIVERSIDAD DE L A COSTA, C.U.C.
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-
A.+6$
&n cada ni$el de $olta8e0 con auda de un mult/metro0 se midi* tanto el $olta8e como el am'era8e en el diodo. ?.
3.0
0,624
3,11
6.0
0,669
6,82
5os datos obtenidos 'ara la 02ri3ci4! i!"er# (ueron los siuientes:
=e 'olariz* de manera in$ersa el diodo semiconductor se realiz* la misma o'eraci*n )ue en el /tem anterior0 solo )ue en esta ocasi*n cambiaron los ni$eles de $olta8e esta $ez (ueron los siuientes:
Tabla 2.
-
1.+ 6$7 >.+ 6$7 ?.+ 6$7 ;.+ 6$7 .+ 6$7 .+ 6$7 1+.+ 6$7
Vs de la fuente (V)
V (V) en el Diodo
I (mA)
1.0
0.983
0
2.0
2.06
0
3.0
2.998
0
4.0
4
0
;.
na $ez obtenidos todos los datos de $olta8e corriente medidos en el diodo tanto en 'olarizaci*n directa como in$ersa0 se 'rocede a calcular el $alor de la resistencia directa 'ara cada $alor de $olta8e corriente. !ambién se calcul* el $alor de la resistencia in$ersa. &n ltima instancia0 con auda de &EC&50 se ra(icaron los datos obtenidos.
5.0
5
0
8.0
8.01
0
10.0
9.96
0
.
- GRFICOS, TABLAS
FOTOGRAFÍAS
5 CONCLUSIONES
/ 6 BIBLIOGRAFÍA
5os datos obtenidos 'ara la 02ri3ci4! direct (ueron los siuientes:
7 Bi82ir9
Tabla 1.
Vs de la fuente (V) 0.0
V (V) en el Diodo 3,7 x 10^-3
I (mA)
0.3
0,3135
0
0.5
0,437
0,07
0.7
0,5
0,24
1.0
0,543
0,6
[1] R. L. B. -. L. Nashelsky, Elec!"#$ca% &e'!$a (e )$!c*$'s y +$s's$$'s Elec!"#$c's +ec$/a E($c$'#, ea!s'# .
0
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