En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Full description
Este archivo muestra la caracterización del mosfet CD4007Descripción completa
Descripción: amplificación de pequeñas señales por medio de MOSFET
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Descripción completa
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales elect...Full description
Elektronika
Descripción: Resumen de estructura, simbologia y transconductancia del mosfet de empobrecimiento.
Descripción: Ejercicio sobre transistores mosfet
Relatório descrevendo a experiência com o uso dos transistores JFET e MOSFET.
Descripción completa
E - 13 AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR MOSFET Objetivo:
Dar a conocer otro tipo de transistores, como los de efecto de campo, de la variedad de compuerta aislada. ISOLATED ISOLATED GATE GATE BIPOLAR TRASISTOR o IGBT o !OS"ET !etal # O$ido # Semiconductor # "IELD E""E%T # TRASISTOR. Esta&lecer el m'todo de polari(aci)n * detreminar la +anancia, as como o&tener las curvas de salida * de transferencia. !ateriales * E-uipo / "uente D% 0 ca&les / proto&oard / osciloscopio c< c<9 ca&les / multmetro / Generador de funciones Procedimiento
/ transistor !OS"ET canal SS12 ) e-uivalente. R 3 /!, 2245, 6748, 9645, /945, :;8 R 3 /8 , 98 , =8 % 3 9 $ /4 u" , 9: v D% %a&les de cone$iones
a> Armar Armar el circui circuito to de de la "i+ura "i+ura / ID
?o
9648
&> Polari(ar el circuito * medir las tensiones de cada terminal del !OS"ET respecto a tierra ?G 3 @@@@ @@@@@@ @@@@ @@@@ @@@@ @@@ @
?S 3 @@@@ @@@@@@ @@@@ @@@@ @@@@ @@@ @
?D 3 @@@@ @@@@@@ @@@@ @@@@ @@@@ @@@ @
c> ?ariar ?ariar la resistencia R9 para o&tener los voltaes ?D * ?G del cuadro si+uiente, el -ue nos muestra diferentes puntos de operaci)n del !OS"ET
d> %alcular la corriente en cada caso, llenando la ta&la ID 3 /9 # ?D> < 98 e> Tra(ar la recta de car+a del !OS"ET * los diferentes puntos de operaci)n de la ta&la ID ; mA
?DS /9v Si es necesario, cam&iar la resistencia RD, de acuerdo a las caractersticas del Transistor f> Tra(ar las curvas de transferencia ID # ?GS ID
?D
*
?DSC?GS
?GS
?GS
+> %onsiderando una resistencia R9, de tal valor -ue manten+a ?D casi a la mitad de la fuente, aplicar en ?in una seal de 9: m? a la frecuencia de / 8( * medir la seal de salida ?o. Determinar la +anancia del !OS"ET ?o 3 FFFFFFFF.
Av!OS"ET> 3 FFFFFFF.
Aumentar la amplitud de la seal de entrada * determinar el m$imo de ?in -ue puede amplificar sin tener ?o una distorsi)n aprecia&le. ?inma$> s
?oma$> s
Cuestionario:
/. Anali(ar la fsica de conducci)n del Transistor !OS "ET, tanto de cana como de canal P Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta !omparado con el condensador MOS" el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador )" cada uno conectado a regiones altamente dopadas #ue est$n separadas por la región del sustrato Estas regiones pueden ser de tipo p o n" pero deben ser ambas del mismo tipo" y del tipo opuesto al del sustrato
cuando se aplica una tensión de compuerta suficiente" el borde de la banda de %alencia se ale&a del ni%el de Fermi" y los 'uecos presentes en el sustrato son repelidos de la
compuerta !uando se polaria toda%a m$s la compuerta" el borde de la banda de conducción se acerca al ni%el de Fermi en la región cercana a la superficie del semiconductor MOSFET !*+*, + ,a región de superficie del semiconductor se llena de electrones en una región de inversión o un canal de tipo n originado en la interfa entre el sustrato tipo p y el óxido
Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor" y la corriente fluye a tra%s del dispositi%o cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor *l aumentar la tensión en la compuerta" se incrementa la densidad de electrones en la región de in%ersión y por lo tanto se incrementa el flu&o de corriente entre el drenador y el surtidor .ara tensiones de compuerta inferiores a la tensión de umbral" el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la ona de in%ersión" y de esta forma sólo una pe#ue/a corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor MOSFET !*+*, . !uando se aplica una tensión negati%a entre compuerta-surtidor (positi%a entre surtidorcompuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n" de forma an$loga al canal n" pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones !uando una tensión menos negati%a #ue la tensión de umbral es aplicada (una tensión negati%a para el canal tipo p) el canal desaparece y sólo puede fluir una pe#ue/a corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor
9. O&tener las caractersticas del !OS"ET utili(ado
=. Desarrollar te)ricamente la polari(aci)n del !OS en prue&a * verificar los datos e$perimentales.
6. Di&uar el circuito e-uivalente en A% * el modelo en pe-uea seal del !OS"ET, determinando la +anancia en forma te)rica. %omparar los resultados con con lo o&tenido e$perimentalmente.
:. Descri&ir la curva de transferencia ID # ?GS 6. Descri&ir la curva de transferencia ?D # ?GS
(Vo – Vin en señal))
7. E$plicar al+unas aplicaciones de los !OS"ET, de acuerdo a las caractersticas anali(adas en la presente e$periencia.