En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Full description
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Descripción completa
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Mosfet
Mosfet
Electronica
Mosfet introduccion
Descrição: Motorola Power Transistor Mosfet
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Descripción: amplificación de pequeñas señales por medio de MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales elect...Full description
Elektronika
Descripción: Resumen de estructura, simbologia y transconductancia del mosfet de empobrecimiento.
Descripción: Ejercicio sobre transistores mosfet
Relatório descrevendo a experiência com o uso dos transistores JFET e MOSFET.
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Amplificador diferencial MOSFET y con carga activaDescripción completa
LABORATORIO 8 EL TRANSISTOR MOSFET MOSFET EN CIRCUITOS AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES
4.2 Amplificador Fuente Común (common source): Para ésta práctica se diseñó un amplificador con transistor MOSFET en configuración de fuente común, teniendo en cuenta la polarización con divisor de voltaje realizada en la primera sección, agregando una carga RL de 10 KΩ. Utilizando el montaje de la figura 3.
Figura 3. Para el circuito de la figura 3 los valores de las resistencias son: R1 = 10 kΩ R2 = 10 KΩ RD = 2.4 KΩ RS = 240 Ω Dado que estamos usando la polarización con el divisor de voltaje, tendremos en cuenta una corriente ID = 2 mA, y el Vt = 1.58 V y el (KnW/L) = 0.418 mA/V2, calculados en la práctica anterior. Ahora bien con éstos datos los usaremos para separar nuestro análisis del circuito en dos partes, una DC y una AC, dado que la amplificación am plificación se realiza sobre una señal AC. Análisis del circuito en DC: Éste análisis se realizo en la primera sección de éste laboratorio, de los mismos rescatamos los siguientes dados, los cuales usaremos en el análisis de AC: ID = 2 mA (KnW/L) = 0.418 mA/V2 VD = 4.976 V VG = 4.5 V VDG = 0.476 V
Análisis del circuito en AC: En ésta parte analizaremos el circuito “apagando las fuentes DC” y por tanto enviando eso
terminales a tierra, y teóricamente reemplazando los condensadores por un corto circuito. Ahora calcularemos la admitancia del MOSFET (gm)
Ahora calcularemos la el factor de amplificación del circuito (Av):
Proseguimos calculando el valor de la impedancia de entrada (Z i) y la impedancia de salida (Zo), así:
Ahora solo falta calcular los valores máximos y mínimos de la señal de entrada, para que el MOSFET no se salga del estado de saturación, y por tanto se mantenga como amplificador. Sabiendo que id es la corriente en AC e ID la corriente en DC. De forma análoga vdg es la tensión en AC y VDG la tención en DC. Por tanto para encontrar el valor mínimo de la señal de entrada:
Dados éstas especificaciones de la señal, escogimos usar una señal Sinusoidal con una amplitud de 0.5 Vp y una frecuencia de 1 kHz. En el laboratorio obtuvimos los siguientes datos: Av = 2.33 Zi = 7.5 kΩ Zo = 1.93 KΩ Vo = 0.9 V Vi = 385 mV *Para obtener Zi usamos un divisor de tensión a la entrada del circuito.
------------------------------------------------------------------------------Práctica Gate común: En la Teoría obtuvimos los siguientes datos: Av = 2.45 Zi = 178.33 Ω Zo = 3 KΩ En el laboratorio obtuvimos los siguientes datos: Av = 2.47 Zi = 175 Ω Zo = 2 KΩ Vo = 0.65 V Vi = 0.263 V ---------------------------------------------------------------------------------Práctica Drain común: En la Teoría obtuvimos los siguientes datos: Av = 0.91 Zi = 5 kΩ Zo = 941.62 Ω En el laboratorio obtuvimos los siguientes datos:
Av = 0.17 Zi = 3.9 kΩ Zo = 564.97 Ω Vo = 54 mV Vi = 319 mV
Para Julian, respecto a la parte de polarización éstos son los datos que se obtuvieron en el Laboratorio: 1. Polarización en retroalimentación: VGS = 4.14 V VDS = 4.14 V VD = 4.15 V ID = 1.63 mA ≈ 2 mA *Éste dato varia por exactitud de la resistencia RD 2. Polarización con divisor de tensión: VGS = 4.122 V VDS = 4.68 V VD = 4.976 V ID = 1.35 mA