Mosfet de Enriquecimiento

INTRODUCCION A LOS MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conduccin! conduccin! Son dispositivos dispositivos m"s importantes que los #FET $a que la ma$or parte de los circuitos inte%rados di%itales se constru$en con la tecnolo%&a MOS! El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales' el drenador ( drain) la puerta (* %ate) el surtidor o fuente (S source) source) $ el sustrato (+ ,ul)! La corriente en el interior del dispositivo puede ser en forma de electrones o .uecos /u$e desde la fuente .asta el drenador $ es controlada por la puerta! El terminal de sustrato se utiliza para 01ar la tensin um,ral del transistor mediante la aplicacin de una tensin constante!  +a1o el terminal de puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide pr"cticamente el paso de corriente a su través3 por lo que el control de puerta se esta,lece en forma de tensin!

Existen dos tipos de transistores MOSFET! 4 MOSFET de acumulación o de enriquecimiento enriquecimiento 4 MOSFET de deplexión o empo,recimiento 5 su vez estos pueden ser de canal 6  de canal 7!

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO:

El MOSFET de enriquecimiento se clasi0ca porque su conductividad me1ora cuando la tensin de puerta es ma$or que la tensin um,ral! Los dispositivos de enriquecimiento est"n normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero! El transistor MOS es simétrico' los terminales de fuente $ drenador son intercam,ia,les entre s&! En el MOSFET tipo 6 el terminal de ma$or tensin act8a de drenador (reco%e los electrones) siendo el de menor tensin en el tipo 7 (reco%e los .uecos)! El MOSFET de enriquecimiento de canal 6 di0ere constructivamente del de empo,recimiento de canal n en que no tiene capa de material 6 sino que requiere de una tensin positiva entre la puerta $ la fuente para esta,lecer un canal! Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuertafuente (9*S que atrae electrones de la re%in del sustrato u,icada entre el drenador $ la compuerta que est"n formados por material semiconductor tipo 7! Es decir que el canal no tiene existencia :f&sica; como ocurre con el mosfet de empo,recimiento sino que se forma a partir de una tensin aplicada 9*S! El MOSFET de enriquecimiento de canal 7 tiene caracter&sticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquecimiento de canal 6!

CONSIDERACIONES SOBRE EL MOSFET

En un transistor de unin de efecto campo se aplica al canal un campo eléctrico a través de un diodo p-n! Empleando un electrodo de puerta met"lico separado del canal semiconductor por una capa de xido como se muestra en la 0%ura se o,tiene el efecto de un campo ,"sicamente distinto! La disposicin Metal- es aquella que acumula una concentracin de car%as capaz de invertir el canal!