descripción de las principales características de los bjt y mosfet de potenciaDescripción completa
mosfet characteristicsFull description
Mosfet
Mosfet
Electronica
Mosfet introduccion
Control de Velocidad de un motor con MOSFET de potencia
Descripción: MOSFET
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Full description
Este archivo muestra la caracterización del mosfet CD4007Descripción completa
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Descrição: Motorola Power Transistor Mosfet
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electroDescripción completa
Descripción: amplificación de pequeñas señales por medio de MOSFET
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Descripción completa
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales elect...Full description
Elektronika
Descripción: Resumen de estructura, simbologia y transconductancia del mosfet de empobrecimiento.
MOSFET DE POTENCIA
Dispositivo controlador por voltaje Necesita una pequeña corriente en la entrada Velocidad de conmutación muy alta Tiempo de conmutación de nseg Aplicaciones en convertidores de baja y alta frecuencia Sin problemas de segunda avalancha Problemas de descarga electroestática Resistencia de entrada muy alta (109 hasta 1011 Ω) •
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MOSFET decrementales a) MOSFET canal n: Dos regiones de silicio n +, la compuerta
aislada por una capa de óxido, voltaje de compuerta a fuente VGS (puede ser negativo o positivo). Si VGS se hace lo suficientemente negativo , el canal se decrementa por completo y presenta un valor alto de RDS, por lo tanto teniendo una I DS=0. A este valor de VGS se le llama voltaje de estrechamiento VP. Si VGS se hace positivo, el canal se incrementa y aumenta el IDS debido a la reducción de R DS
b) MOSFET canal p: Tiene el mismo análisis que los
MOSFET decrementales tipo n, su diferencia está en el cambio de polaridades de VGS, VDS e IDS
MOSFET incrementales a) MOSFET canal n: No tiene canal físico , si V GS es
positivo, un voltaje inducido atrae los electrones del substrato p y los acumula en la superficie bajo la capa de óxido. Si VGS es mayor o igual a un voltaje umbral se forma un canal virtual n y la corriente circula de drenaje a fuente. b) MOSFET canal p: Se invierten las polaridades de VGS, VDS e IDS
“Ya que un MOSFET decremental permanece activo con un VG = 0, mientras que un MOSFET incremental permanece apagado bajo la misma condición; éstos últimos se usan como dispositivos de conmutación en la electrónica de potencia”
Características en estado permanente
La relación de la corriente de drenaje y el voltaje de compuerta, llamada transconductancia , define las características de transferencia. Para MOSFET tipo decremental y tipo incremental la transconductancia esta definida por:
Característica de salida MOSFET incremental tipo n 1. Región de corte VG ≤ VT 2. Región de saturación
VDS = VGS - VT 3. Región lineal VDS ‹ VGS - VT El MOSFET se utiliza en su región lineal para efectos de conmutación debido a la gran corriente de drenaje y el bajo voltaje de drenaje
Características de conmutación
Formas de onda y tiempo de conmutación
Tiempo de subida tr : Tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel del umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP Tiempo de caída tf : Tiempo para que la capacitancia de entrada se descargue de la zona de estrechamiento hasta el voltaje umbral
Tiempo de encendido td(enc) : Tiempo necesario para cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del umbral Tiempo de apagado td(apag) : Tiempo necesario para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje de saturación hasta la región de estrechamiento