Descripción: ´ Reporte de Practicas Profesionales. Emmanuel Balderas Armend´riz 1 a Facultad de Ingenier´ Mec´nica y El´ctrica Unidad Norte ıa a e Universidad Autonoma de Coahuila. Monclova, Coahuila, M´xico....
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Refiere de las actividades de enfermería que se realizaron en un periodo de dos meses en el ISSSTEDescripción completa
Son los reportes de los experimentos realizados en la materia de Vibraciones MecanicasDescripción completa
Trabajo IGBTDescripción completa
El transistor igbt
Informe sobre IGTB electronica de potenciaDescripción completa
IGBT´s TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)
IGBT merupakan singkatan dari Insulated Gate Bipolar Transistor. Dari sini dapat kita ketahui bahwa IGBT merupakan salah satu jenis Transistor.
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reporte mensual de practicas profesionales nivel bachilleratoDescripción completa
Descripción: igbt
Descripción: PRÁCTICA ELECTRÓNICA IGBT
Instituto Tecnológico Superior de Martínez de la Torre Ingeniería en Mecatrónica 5° Sem. “A”
Electrónica Analógica Tema 3
Practicas Transistores Integrantes: Castillo Martínez Adalid Victoria Contreras Peruyero Sergio Arturo Díaz López Roberto Alan Martínez Alarcon Katerin Itzel
Ing. Luis Alberto Madrid Hernández Martínez de la Torre, Ver (23/10/2016)
Introducción Desde la invención del transistor en 1951 por W. Schockley la electrónica sufrió avances impresionantes que la condujeron al CI. El transistor es un dispositivo de tres terminales capaz de amplificar señales eléctricas. Un transistor tiene tres zonas de dopaje: el emisor, la base y el colector. Es un dispositivo npn por que tiene una zona p entres dos zonas n.
El Colector es la zona que esta dopada de forma intermedia y su tarea es recolectar la mayor cantidad de electrones que se encuentran en la base. La Base es la zona menos dopada y en la base se recombinan los electrones inyectados El emisor es la zona más grande de las tres y su tarea es inyectar la mayor cantidad de electrones a la base y que se recombinen para llegar al colector.
Símbolo de un transistor:
El transistor de la figura anterior tiene dos uniones: una entre la base y el emisor y la otra entre la base y el colector, por tanto el transistor es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo tiene una caída de potencial de 0.7V para Silicio a temperatura ambiente, por eso se les denomina simplemente Diodo emisor y Diodo colector.
Curva de Salida de un Transistor Midiendo
I C y V CE se obtienen los datos para la curva de
I C en función de V CE :
Zonas de Funcionamiento: La curva exhibe cuatro zonas de funcionamiento en un transistor. La zona central donde
V CE
puede variar e
I C se mantiene casi constante es la zona más importante del
transistor ya que representa el funcionamiento normal y se le llama zona activa, para estar en ella hay que polarizar al diodo emisor directamente y al diodo colector inversamente. Otra zona de funcionamiento es la zona de ruptura, el transistor nunca debe trabajar ahí ya que podría causar su destrucción o degradación. Después tenemos la parte ascendente de la curva, donde
V CE
está desde 0 hasta
pocas decenas de voltios, está pendiente es la zona de saturación, para estar en esta zona ambos diodos tanto el de emisor y de colector están polarizados directamente. Finalmente otra zona inesperada es la de la parte inferior de la curva, esta es la zona de corte donde la corriente de base es cero y existe una pequeña corriente de fugas por el colector.
Polarización del Transistor Si se conectan fuentes de alimentación a las terminales del transistor se obtienen corrientes a través de él y se puede saber en qué zona de funcionamiento está trabajando. Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector directamente obtendremos el funcionamiento del transistor en saturación.
Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector inversamente el transistor funcionará en la zona de corte.
Al polarizar directamente el diodo emisor e inversamente el diodo colector el transistor funcionará en la zona activa.
Parámetros del Transistor La Alfa de un transistor es una medida del cociente de la corriente de colector con respecto a la corriente de emisor y representa que tan eficaz es el paso de esa corriente a través del transistor:
α CD =
IC IE
La Beta del transistor es una medida de la ganancia que existe de la corriente de colector con respecto a la corriente de base:
β CD =
IC IB
Hoja de Características Estos transistores de pequeña señal pueden disipar un vatio o menos, cuando se estudian estos Dispositivos se debe comenzar por las limitaciones máximas. Algunos parámetros son los siguientes:
Corriente de colector máxima Potencia máxima del transistor Ganancia de corriente
IC PD
β CD =h FE
Objetivo En la práctica se estudiará un nuevo dispositivo semiconductor el transistor, se estudiarán sus polarizaciones, la curva del transistor y los parámetros más importantes del mismo con el objeto de introducir al estudiante a predecir su funcionamiento y detectar averías en el dispositivo.
Tema 3.1 Transistor Bipolar (BJT)
Materiales Utilizados Fuente de alimentación fija de 5v Transistor npn 2N2222A con hoja de características Resistencias de varios valores especificados en los circuitos Multimetro Digital Protobard Cable AWG calibre 22 y cables dupont Caimanes para conecciones
