El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor uti...
Este informe muestra las características eléctricas del transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor (MOSFET), y los parámetros de los cuales depende su comportamiento ademas del …Full description
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Mosfet
Mosfet
Electronica
Mosfet introduccion
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Full description
Este archivo muestra la caracterización del mosfet CD4007Descripción completa
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Descrição: Motorola Power Transistor Mosfet
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Descripción: amplificación de pequeñas señales por medio de MOSFET
En este laboratorio se realiza el diseño, simulación y montaje de dos circuitos con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), uno con tipo N y el otro con tipo P, c…Descripción completa
Elektronika
Descripción: Resumen de estructura, simbologia y transconductancia del mosfet de empobrecimiento.
MOSFET Los MOSFET son transistores de efecto de campo semiconductor de óxido metálico y se divi divide den n en tipo tipo emp empobr obrecim ecimie ient nto o y tipo ipo enri enriqu quec ecim imie ient nto o. Los tr trminos inos empobrecimiento empobrecimiento y enriquecimiento enriquecimiento de!nen su su modo básico de operación. operación. "omo #ay diferencias en las caracter$sticas y operación de los diferentes tipos de MOSFET% se abordan en secciones distintas. Operación del MOSFET Tanto Tanto en el MOSFET de canal & o el de canal '% cuando no se aplica tensión en la compuerta no #ay (u)o de corriente entre en drena)e y la fuente. 'ara 'ara que circule circule corriente corriente en un MOSFET MOSFET de canal & una tensión tensión positiva positiva se debe aplicar en la compuerta. compuerta. *s$ los electrones electrones del canal canal & de la fuente y el drena)e drena)e son atra$dos a la compuerta y pasan por el canal ' entre ellos. El movimiento de estos electrones% crea las condiciones para que apare+ca un puente para los electrones entre el drena drena)e )e y la fuente fuente.. La amplitud amplitud o anc#u anc#ura ra de este este puente puente ,y la cantidad cantidad de corriente- depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal '% se da una situación similar. "uando se aplica una tensión neativa tensión neativa en la compuerta% los #uecos ,ausencia de electrones- del canal ' del drena)e y de la fuente son atra$dos #acia la compuerta y pasan a travs del canal & que #ay entre ellos% creando un puente entre drena)e y fuente. La amplitud o anc#ura del puente ,y la cantidad de corriente- depende de la tensión aplicada a la compuerta. /ebido a la delada capa de óxido que #ay entre la compuerta y el semiconductor% no #ay corriente corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drena)e y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
Polarización del MOSFET Polarización del MOSFET de enriquecimiento El MOSFET canal n de enriquecimiento o incremental requiere un volta)e positivo en la compuerta% Este puede ser polari+ado de acuerdo al circuito indicado en la Fi. 0a. Lueo% planteando la malla de entrada y la malla de salida en la Fi. 0b. se tiene
Fi. 0. 'olari+ación del MOSFET incremental
V DD =i G R G + V GS + i D R S
,1-
V DD =i D R D + V DS + i D RS
,0/onde de ,1- se obtiene la recta de la cara de salida
V DS V i D = + DD . Lueo R D + R S R D + R S
usando la ecuación de funcionamiento del MOSFET para +ona activa se completa el sistema de ecuaciones. 2
i D = K ( V GS−V T )
,2/ado
i G=0 % el sistema se ampli!ca
V DD =V GS + i D R S
,3-
Fi. 2. 'unto de operación de MOSFET. /onde de ,3- se obtiene la recta de cara de entrada
'ara un punto de operación ,
i D =
−V GS R S
+
V DD R S
.
I DSQ ,V DSQ ¿ % en con)unto con el volta)e umbral
la constante de fabricación 4 % el sistema ,2- y ,3- se determina Finalmente usando ,0- se determina
R S
y
V T V GS
y .
R D .
Polarización alternativa de MOSFET de acumulación. El siuiente circuito de la Fi. 3a usa un divisor de volta)e para alimentar la compuerta. La fuente queda conectada a tierra.
Fi. 3. 'olari+ación alternativa del MOSFET. 5edibu)ando la malla de entrada% se tiene el circuito de la Fi. 3b. 'lanteando la malla de entrada. V TH =i G R TH + V GS
,6-
V DD =i D R DD + V DS
,7/onde V TH =
R 2 R1 + R 2
V DD
R TH = R 1∨¿ R 2
8sando 2
i D = K ( V GS−V T )
,2El sistema queda completo. 'ara el dise9o es requerido un valor para
R TH % el cual
acostumbra a tomar un valor alto por lo eneral en torno a 1:M;<. /ado que el sistema se simpli!ca% pues
V GS
=
i G = >%
V TH . *l iual que en la con!uración
anterior% son requeridas las constante 4 y el volta)e umbral
V T
.
Circuito de polarización universal del MOSFET de empobrecimiento. * modo de complemento se #a incorporado un circuito con un MOSFET de empobrecimiento o de deplexión. Esta con!uración es de tipo polari+ación universal. Sea el circuito de la !ura 6% donde?
V TH =
R 2 R1 + R 2
V DD
,@-
RTH = R 1∨¿ R2
,A-
Fi. 6. "ircuito de polari+ación universal para MOSFET canal n. 'ara la malla de entrada% dado
i G=0 % se tiene
V TH =V GS+ i D RS
,Bi D =
−V GS RS
+
V TH R S
,1>'ara la malla de salida V DS =V DD−( R S + R D ) i D
,11"omo este FET tambin usa la relación de Sc#ocCley para de!nir la corriente
i D %
para un circuito dado se puede tra+ar una recta de cara para la malla de entrada% que establece el punto D% de acuerdo a la Fi. 7. 'or otro lado% para un punto D dado% más dise9o.
V DD %
V TH
o
R TH % se obtiene el
Aplicación del MOSFET MOSFET tipo E: El MOSFET de enriquecimiento se usa muc#o% tanto en circuitos discretos como interados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia% que sini!ca conectar y desconectar corrientes randes. En circuitos interados% su uso principal es en conmutación diital% proceso básico que fundamenta los ordenadores modernos. MOSFET tipo : La forma más #abitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos tipo "MOS% consistentes en el uso de transistores 'MOS y &MOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son?
5esistencias controladas por tensión.
"ircuitos de conmutación de potencia ,EGFET% F5E/FET% etc-.
Me+cladores de frecuencia% con MOSFET de doble puerta.